Journal Of Crystal Growth

Journal Of Crystal Growth

晶体生长杂志

  • 3区 中科院分区
  • Q2 JCR分区

期刊简介

《Journal Of Crystal Growth》是由Elsevier出版社于1967年创办的英文国际期刊(ISSN: 0022-0248,E-ISSN: 1873-5002),该期刊长期致力于晶体学领域的创新研究,主要研究方向为化学-晶体学。作为SCI、SCIE收录期刊(JCR分区 Q2,中科院 3区),本刊采用OA未开放获取模式(OA占比%),以发表晶体学领域等方向的原创性研究为核心(研究类文章占比99.55%%)。凭借严格的同行评审与高效编辑流程,期刊年载文量精选控制在220篇,确保学术质量与前沿性。成果覆盖Web of ScienceWeb of Science、Scopus等国际权威数据库,为学者提供推动材料科学领域高水平交流平台。

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投稿提示

Journal Of Crystal Growth审稿周期约为约2.6个月。该刊近年未被列入国际预警名单,年发文量约220篇,录用竞争适中,主题需确保紧密契合材料科学前沿。投稿策略提示:避开学术会议旺季投稿以缩短周期,语言建议专业润色提升可读性。

  • 材料科学 大类学科
  • Multi-Language 出版语言
  • 是否预警
  • SCI、SCIE 期刊收录
  • 220 发文量

中科院分区

《新锐期刊分区表》(2026年3月发布)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
材料科学
3区
CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
3区 4区 4区

期刊分区表(2025年3月升级版)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
材料科学
4区
CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
3区 4区 4区

期刊分区表(2023年12月升级版)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
材料科学
4区
CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
3区 4区 4区

期刊分区表(2022年12月升级版)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
材料科学
3区
CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
3区 4区 4区

期刊分区表(2021年12月升级版)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
材料科学
3区
CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合
3区 3区 4区

JCR分区

2025-2026年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q2 13 / 31

59.7

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 320 / 472

32.3

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 114 / 191

40.6

学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q2 14 / 31

56.45

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q2 235 / 473

50.42

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 81 / 191

57.85

2024-2025年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q2 15 / 31

53.2

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 325 / 461

29.6

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 130 / 187

30.7

学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q2 15 / 31

53.23

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 252 / 463

45.68

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 96 / 187

48.93

2023-2024年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q3 17 / 33

50

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 321 / 438

26.8

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 125 / 179

30.4

学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q3 19 / 33

43.94

学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 249 / 438

43.26

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 104 / 179

42.18

CiteScore(2026年6月最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
CiteScore:4.4 SJR:0.438 SNIP:0.902
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Physics and Astronomy 小类:Condensed Matter Physics Q2 191 / 446

57%

大类:Physics and Astronomy 小类:Inorganic Chemistry Q2 42 / 86

51%

大类:Physics and Astronomy 小类:Materials Chemistry Q2 162 / 327

50%

期刊发文

  • Numerical simulation of flow and mass transfer during large scale, long seed growth of KDP crystals based on the supersaturation dead zone theor

    Author: Liu, Hang; Yan, Chengshuo; Wang, Bin; Tao, Guanghui; Chen, Zhengmin; Xiao, Yi; Yu, Wei; Chen, Shuxian

    Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2026; Vol. 688, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128613

  • Effect of rotating/pulsed magnetic field on solidification process and microstructure of Al-11.8Cu-24.22 Mg allo

    Author: Cui, Shibin; Zou, Cunlei; Yan, Zhiming

    Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2026; Vol. 688, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128621

  • Structural and spectral aspects of Ho3+/Nd3+-codoped CsCdCl3 crystals for ∼ 2 μm and ∼ 3.9 μm laser application

    Author: Wang, Nankai; Li, Xuhong; Zhu, Zhaojie; Huang, Yizhi; Tu, Chaoyang; Lakshminarayana, G.; Wang, Yan

    Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2026; Vol. 687, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128610

  • Effect of the deposition temperature on the structure and properties of SmBCO films prepared by laser chemical vapor depositio

    Author: Wang, Ting; Tu, Rong; Zhang, Canlin; Zhang, Chitengfei; Chen, Zhixin

    Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2026; Vol. 687, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128612

  • Development and characterization of high-quality 150 mm p-type 4H-SiC substrates using solution growt

    Author: Dang, Yifan; Zhu, Can; Chen, Penglei; Liu, Pengfei; Zhou, Huiqin; Gao, Chao

    Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2026; Vol. 687, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128614

  • Growth and bleaching mechanism of Al3+doped BSO crystals by the vertical Bridgman metho

    Author: Wang, Mengxue; Wu, Jing; Hu, Shucheng; Zhao, Di; Cheng, Han; Tian, Tian; Shen, Hui; Xu, Jiayue

    Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2026; Vol. 686, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128596

  • Effect of coil movement on the growth of silicon carbide by top-seeded solution growt

    Author: Zhao, Dongsheng; Yu, Wancheng; Wang, Jianfei; Zhang, Xiying; Chen, Xiufang; Wang, Lihuan; Xu, Xiangang

    Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2026; Vol. 686, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128605

  • From scalar indicators to full-field prediction: A multi-scale surrogate framework for thermal-field design in large-diameter Czochralski growt

    Author: Wang, Zhiqiang; Chen, Kunfeng; Tang, Gongbin; Xu, Lijian; Xue, Dongfeng

    Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2026; Vol. 686, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2026.128607