Journal Of Crystal Growth投稿须知

期刊简介

《Journal Of Crystal Growth》是由Elsevier出版社于1967年创办的英文国际期刊（ISSN: 0022-0248，E-ISSN: 1873-5002），该期刊长期致力于晶体学领域的创新研究，主要研究方向为化学-晶体学。作为SCIE收录期刊（JCR分区 Q3，中科院 4区），本刊采用OA未开放获取模式（OA占比0.0202...%），以发表晶体学领域等方向的原创性研究为核心（研究类文章占比100.00%%）。凭借严格的同行评审与高效编辑流程，期刊年载文量精选控制在306篇，确保学术质量与前沿性。成果覆盖Web of Science、Scopus等国际权威数据库，为学者提供推动材料科学领域高水平交流平台。

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投稿提示

Journal Of Crystal Growth审稿周期约为约2.6个月约10周。该刊近年未被列入国际预警名单，年发文量约306篇，录用竞争适中，主题需确保紧密契合材料科学前沿。投稿策略提示：避开学术会议旺季投稿以缩短周期，语言建议专业润色提升可读性。

材料科学 大类学科
Multi-Language 出版语言
否是否预警
SCIE 期刊收录
306 发文量

中科院分区

中科院 SCI 期刊分区 2023年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	材料科学 4区	CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 4区 4区

中科院 SCI 期刊分区 2022年12月升级版

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	材料科学 3区	CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学：综合 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 4区 4区

JCR分区

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：CRYSTALLOGRAPHY	SCIE	Q3	17 / 33	50%
学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	321 / 438	26.8%
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	125 / 179	30.4%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：CRYSTALLOGRAPHY	SCIE	Q3	19 / 33	43.94%
学科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	249 / 438	43.26%
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	104 / 179	42.18%

CiteScore

SJR

SNIP

CiteScore 排名

CiteScore：3.6

SJR：0.379

SNIP：0.768

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Physics and Astronomy 小类：Condensed Matter Physics	Q2	205 / 434	52%
大类：Physics and Astronomy 小类：Inorganic Chemistry	Q2	40 / 79	50%
大类：Physics and Astronomy 小类：Materials Chemistry	Q3	162 / 317	49%

期刊发文

Growth of 4H-SiC epitaxial layers at temperatures below 1500 degrees C using trichlorosilane (TCS)
Author: Yang, Shangyu; Zhao, Siqi; Chen, Junhong; Yan, Guoguo; Shen, Zhanwei; Zhao, Wanshun; Wang, Lei; Zhang, Yang; Liu, Xingfang; Sun, Guosheng; Zeng, Yiping

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 612, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127058
Biomineralization inspired crystal growth for biomimetic materials preparation
Author: Wang, Yihua; Liu, Zhaoming; Pan, Haihua; Tang, Ruikang

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127029
Green synthesis of NdOHCO3 via a carbon dioxide carbonatation process in mild conditions
Author: Hua, Yong; Wang, Dong; Cui, Zhenjie; Guo, Jianwei; Cao, Jianwei; Wang, Zhi

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 613, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2023.127211
Nonisothermal crystallization kinetics of potassium chloride produced by stirred crystallization
Author: Zheng, Dan; Xu, Menglin; Wang, Jiao; Ma, Yulan; Tian, Yongqi; Shen, Yueqiu; Wu, Xieping; Yang, Meihui

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127035
Numerical simulation of flow and mass transfer during growth of the long seed KDP crystals under 2D translation method
Author: Liu, Hang; Li, Mingwei; Chen, Duanyang; Qi, Hongji; Hu, Yue; Chen, Shuxian; Xiao, Yi

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127026
Estimation of hole mobility in hydrogen-terminated diamond MOSFET with high-k stacked gate dielectrics
Author: Li, Yao; Wang, Xi; Pu, Hongbin

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127010
Direct comparison of silicon carbide and silicon diode avalanche shaper in multi-pulse applications
Author: Guo, Dengyao; Zhou, Yu; Tang, Xiaoyan; Zhang, Yuming

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127007
Epitaxy of tungsten on polycrystalline molybdenum using chemical vapor transport deposition technology
Author: Xie, Yajuan; Tan, Chengwen; Yu, Xiaodong; Zhu, Hao; Nie, Zhihua

Journal: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2023; Vol. 603, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.127046

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