Chalcogenide Letters

Chalcogenide Letters

硫属化物字母

  • 4区 中科院分区
  • Q4 JCR分区

期刊简介

《Chalcogenide Letters》是由National Institute R and D of Materials Physics出版社于2004年创办的英文国际期刊(ISSN: 1584-8663,E-ISSN: 1584-8663),该期刊长期致力于材料科学:综合领域的创新研究,主要研究方向为MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY-PHYSICS, APPLIED。作为SCIE收录期刊(JCR分区 Q4,中科院 4区),本刊采用OA开放获取模式(OA占比0%),以发表材料科学:综合领域等方向的原创性研究为核心(研究类文章占比100.00%%)。凭借严格的同行评审与高效编辑流程,期刊年载文量精选控制在92篇,确保学术质量与前沿性。成果覆盖Web of Science、Scopus等国际权威数据库,为学者提供推动材料科学领域高水平交流平台。

投稿咨询

投稿提示

Chalcogenide Letters审稿周期约为 约1月 。该刊近年未被列入国际预警名单,年发文量约92篇,录用竞争适中,主题需确保紧密契合材料科学前沿。投稿策略提示:避开学术会议旺季投稿以缩短周期,语言建议专业润色提升可读性。

  • 材料科学 大类学科
  • English 出版语言
  • 是否预警
  • SCIE 期刊收录
  • 92 发文量

中科院分区

中科院 SCI 期刊分区 2023年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
材料科学
4区
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区

中科院 SCI 期刊分区 2022年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
材料科学
4区
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科学:综合 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区

JCR分区

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q4 362 / 438

17.5%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 146 / 179

18.7%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q4 366 / 438

16.55%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 154 / 179

14.25%

CiteScore

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
CiteScore:1.8 SJR:0.243 SNIP:0.503
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Physics and Astronomy 小类:General Physics and Astronomy Q3 151 / 243

38%

大类:Physics and Astronomy 小类:General Chemistry Q3 272 / 408

33%

大类:Physics and Astronomy 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 206 / 284

27%

期刊发文

  • Composition-dependent properties and network structure of Ge-Se-Te chalcogenide glasses

    Author: Yang, L.; Zhou, G. J.; Lin, C. G.

    Journal: CHALCOGENIDE LETTERS. 2023; Vol. 20, Issue 1, pp. 1-9. DOI: 10.15251/CL.2023.201.1

  • The effect of the structure on the physical properties in GexAs10Se90-x glasses

    Author: Xu, S. W.; Liang, T. W.; Zhu, X. Y.

    Journal: CHALCOGENIDE LETTERS. 2023; Vol. 20, Issue 1, pp. 55-62. DOI: 10.15251/CL.2023.201.55

  • Preparation of CdS/g-C3N4 heterojunction photocatalyst with high activity sites by acid treatment

    Author: Ma, Y. L.; Tao, Y. Y.

    Journal: CHALCOGENIDE LETTERS. 2023; Vol. 20, Issue 2, pp. 153-164. DOI: 10.15251/CL.2023.202.153

  • Effects of pressure on structural, mechanical, and electronic properties of chalcopyrite compound CuAlS2

    Author: Geng, J.; Wu, J.

    Journal: CHALCOGENIDE LETTERS. 2023; Vol. 20, Issue 3, pp. 215-225. DOI: 10.15251/CL.2023.203.215