Opto-electronics Review

Opto-electronics Review

光电评论

  • 4区 中科院分区
  • Q3 JCR分区

期刊简介

《Opto-electronics Review》是由Versita出版社于2006年创办的英文国际期刊(ISSN: 1230-3402,E-ISSN: 1896-3757),该期刊长期致力于工程:电子与电气领域的创新研究,主要研究方向为工程技术-工程:电子与电气。作为SCIE收录期刊(JCR分区 Q3,中科院 4区),本刊采用OA未开放获取模式(OA占比0%),以发表工程:电子与电气领域等方向的原创性研究为核心(研究类文章占比94.55%%)。凭借严格的同行评审与高效编辑流程,期刊年载文量精选控制在55篇,确保学术质量与前沿性。成果覆盖Web of Science、Scopus等国际权威数据库,为学者提供推动工程技术领域高水平交流平台。

投稿咨询

投稿提示

Opto-electronics Review审稿周期约为 12周,或约稿 。该刊近年未被列入国际预警名单,年发文量约55篇,录用竞争适中,主题需确保紧密契合工程技术前沿。投稿策略提示:避开学术会议旺季投稿以缩短周期,语言建议专业润色提升可读性。

  • 工程技术 大类学科
  • English 出版语言
  • 是否预警
  • SCIE 期刊收录
  • 55 发文量

中科院分区

中科院 SCI 期刊分区 2023年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区

中科院 SCI 期刊分区 2022年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区

JCR分区

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 264 / 352

25.1%

学科:OPTICS SCIE Q3 88 / 119

26.5%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 141 / 179

21.5%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 278 / 354

21.61%

学科:OPTICS SCIE Q4 100 / 120

17.08%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 145 / 179

19.27%

CiteScore

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
CiteScore:1.9 SJR:0.267 SNIP:0.525
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Physics and Astronomy 小类:Radiation Q3 35 / 58

40%

大类:Physics and Astronomy 小类:Electrical and Electronic Engineering Q3 518 / 797

35%

大类:Physics and Astronomy 小类:General Materials Science Q3 327 / 463

29%

期刊发文

  • Electro-optic coefficients of a non-congruent lithium niobate fabricated by vapour transport equilibration: Composition effect

    Author: J.-Q. Xu, W.-Y. Du, Q. Sun, W.-H. Wong, D.-Y. Yu, E.Y.-B. Pun, D.-L. Zhang

    Journal: OPTO-ELECTRONICS REVIEW, 2017, Vol.25, 89-92, DOI:10.1016/j.opelre.2017.04.001

  • Side-pumped neodymium laser with self-adaptive, nonreciprocal cavity

    Author: phmshxu

    Journal: OPTO-ELECTRONICS REVIEW, 2016.

  • Internal quantum efficiency improvement of InGaN/GaN multiple quantum well green light-emitting diodes

    Author: phmshxu

    Journal: OPTO-ELECTRONICS REVIEW, 2016.

  • Internal quantum efficiency improvement of InGaN/GaN multiple quantum well green light-emitting diodes

    Author: phmshxu

    Journal: OPTO-ELECTRONICS REVIEW, 2016.