Ieee Electron Device Letters投稿须知

期刊简介

《Ieee Electron Device Letters》是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社于1980年创办的英文国际期刊（ISSN: 0741-3106，E-ISSN: 1558-0563），该期刊长期致力于工程：电子与电气领域的创新研究，主要研究方向为工程技术-工程：电子与电气。作为SCI、SCIE收录期刊（JCR分区 Q2，中科院 2区），本刊采用OA未开放获取模式（OA占比%），以发表工程：电子与电气领域等方向的原创性研究为核心（研究类文章占比100.00%%）。凭借严格的同行评审与高效编辑流程，期刊年载文量精选控制在550篇，确保学术质量与前沿性。成果覆盖Web of ScienceWeb of Science、Scopus等国际权威数据库，为学者提供推动工程技术领域高水平交流平台。

投稿咨询

投稿提示

Ieee Electron Device Letters审稿周期约为约1.3个月。该刊近年未被列入国际预警名单，年发文量约550篇，录用竞争适中，主题需确保紧密契合工程技术前沿。投稿策略提示：避开学术会议旺季投稿以缩短周期，语言建议专业润色提升可读性。

工程技术 大类学科
English 出版语言
否是否预警
SCI、SCIE 期刊收录
550 发文量

中科院分区

《新锐期刊分区表》（2026年3月发布）

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	工程技术 2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 3区

期刊分区表（2025年3月升级版）

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	工程技术 2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 3区

期刊分区表（2023年12月升级版）

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	工程技术 2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区

期刊分区表（2022年12月升级版）

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	工程技术 2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区

期刊分区表（2021年12月升级版）

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	工程技术 2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区

JCR分区

2025-2026年最新版

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	108 / 369	70.9
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	97 / 371	73.99

2024-2025年最新版

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	99 / 368	73.2
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q1	80 / 368	78.4

2023-2024年最新版

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	94 / 352	73.4
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q1	77 / 354	78.39

CiteScore（2026年6月最新版）

CiteScore

SJR

SNIP

CiteScore 排名

CiteScore：7.9

SJR：1.087

SNIP：1.44

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q1	172 / 1030	83%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q1	62 / 318	80%

期刊发文

Dual-Gate Phototransistor for Electrically Tunable Image Edge Detectio
Author: Zhu, Kangle; Zheng, Yiqiang; Li, Zhexin; Li, Linlin; Xu, Hao; Zhang, Wenxuan; Wang, Hailong; Xue, Han; Deng, Fei; Lou, Zheng; Wang, Lili

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 4, pp. 772-775. DOI: 10.1109/LED.2026.3660304
A Bilayer LiF/C60 Interfacial Strategy for High Efficiency Inverted PbS QD Photodetector
Author: Zhong, Andong; Ling, Kaijie; Li, Guopeng; Chen, Qian; Zheng, Yixin; Guo, Tianjing; Xia, Yong; Chen, Wei; Tang, Haodong

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 4, pp. 700-703. DOI: 10.1109/LED.2026.3658433
Patterned Quantum Dot Light-Emitting Diode Array Based on BNNS-Assisted Heat Releas
Author: Zhang, Zehuang; Pan, Youjiang; Hu, Hailong; Lin, Lihua; Guo, Tailiang; Li, Fushan

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 4, pp. 780-783. DOI: 10.1109/LED.2026.3665548
High-Performance Low-Voltage-Operation InSnZnO/InAlO Heterojunction Thin-Film Transistors via Atomic Layer Depositio
Author: Zhang, Yu; Liu, Jiong; Wu, Zecheng; Luo, Binbin; Wu, Xuefeng; Bai, Rongxu; Zhang, David W.; Sun, Qingqing; Ji, Li; Hu, Shen

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 4, pp. 764-767. DOI: 10.1109/LED.2026.3661288
A Sub-20 mV VTH Hysteresis Enhancement-Mode GaN p-FET With PEALD AlON Gate Dielectri
Author: Zhang, Xuanming; Duan, Jiachen; Ding, Yihan; Guo, Qiyi; Wu, Jingyue; Liang, Ye; Zhang, Yuanlei; Gu, Jiangmin; Zhang, Jie; Mitrovic, Ivona; van Zalinge, Harm; Low, Kain Lu; Huang, Sen; Liu, Wen

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 4, pp. 712-715. DOI: 10.1109/LED.2026.3663022
Anti-Ferroelectric ZrO2 Capacitors With Ultra-High Capacitive Memory Window and Low Operating Voltag
Author: Zhang, Miaomiao; Ma, Minglei; Xu, Jiacheng; Qian, Haoji; Shen, Rongzong; Lin, Gaobo; Gu, Jiani; Song, Xinda; Ding, Yian; Cheng, Ran; Chen, Bing; Liu, Yan; Jin, Chengji; Chen, Jiajia; Han, Genquan

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 4, pp. 832-835. DOI: 10.1109/LED.2026.3664075
An X-Band High Efficiency and Single Mode Output Overmoded RBWO Packed With Permanent Magne
Author: Zhang, Dian; Jin, Zhenxing; Yang, Kaiqi; Yan, Jiyu; Zhang, Jun; Xiang, Yujie; Cheng, Xinbing; Zhang, Zicheng; Shu, Ting; Chen, Dongqun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 4, pp. 808-811. DOI: 10.1109/LED.2026.3661368
Top-ZrO2 Interface-Engineered ZrO2/HZO Ferroelectric Superlattices With Highly Stable Polarization Switching Over 1011 Cycle
Author: Zhang, Chuanli; Yu, Xun; Chen, Zhenkun; Tang, Ruifeng; Fan, Guangxiang; Zhang, Yifan; Jiang, Pengfei; Long, Xiao; Wang, Yuan; Yang, Yang; Gong, Tiancheng; Wang, Yan; Wei, Wei; Luo, Qing

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2026; Vol. 47, Issue 4, pp. 744-747. DOI: 10.1109/LED.2026.3661469

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