Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing投稿须知

期刊简介

《Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing》是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社于1988年创办的英文国际期刊（ISSN: 0894-6507，E-ISSN: 1558-2345），该期刊长期致力于工程：制造领域的创新研究，主要研究方向为工程技术-工程：电子与电气。作为SCI、SCIE收录期刊（JCR分区 Q3，中科院 3区），本刊采用OA未开放获取模式（OA占比%），以发表工程：制造领域等方向的原创性研究为核心（研究类文章占比100.00%%）。凭借严格的同行评审与高效编辑流程，期刊年载文量精选控制在98篇，确保学术质量与前沿性。成果覆盖Web of ScienceWeb of Science、Scopus等国际权威数据库，为学者提供推动工程技术领域高水平交流平台。

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投稿提示

Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing审稿周期约为约6.0个月。该刊近年未被列入国际预警名单，年发文量约98篇，录用竞争适中，主题需确保紧密契合工程技术前沿。投稿策略提示：避开学术会议旺季投稿以缩短周期，语言建议专业润色提升可读性。

工程技术 大类学科
English 出版语言
否是否预警
SCI、SCIE 期刊收录
98 发文量

中科院分区

《新锐期刊分区表》（2026年3月发布）

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	工程技术 3区	ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 4区 4区 3区 3区

期刊分区表（2025年3月升级版）

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	工程技术 4区	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 4区 4区 4区

期刊分区表（2023年12月升级版）

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	工程技术 3区	PHYSICS, APPLIED 物理：应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 3区 3区 4区 4区

期刊分区表（2022年12月升级版）

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	工程技术 4区	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 4区 4区 4区

期刊分区表（2021年12月升级版）

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	工程技术 3区	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程：制造 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 4区 4区 4区

JCR分区

2025-2026年最新版

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	204 / 369	44.9
学科：ENGINEERING, MANUFACTURING	SCIE	Q3	53 / 71	26.1
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	114 / 191	40.6
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q3	45 / 81	45.1
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	218 / 371	41.37
学科：ENGINEERING, MANUFACTURING	SCIE	Q3	50 / 71	30.28
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	114 / 191	40.58
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q2	36 / 81	56.17

2024-2025年最新版

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	198 / 368	46.3
学科：ENGINEERING, MANUFACTURING	SCIE	Q3	49 / 71	31.7
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	114 / 187	39.3
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q3	48 / 80	40.6
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	212 / 368	42.53
学科：ENGINEERING, MANUFACTURING	SCIE	Q3	47 / 71	34.51
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	111 / 187	40.91
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q2	40 / 80	50.63

2023-2024年最新版

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	175 / 352	50.4
学科：ENGINEERING, MANUFACTURING	SCIE	Q3	41 / 68	40.4
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	100 / 179	44.4
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q3	45 / 79	43.7
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	183 / 354	48.45
学科：ENGINEERING, MANUFACTURING	SCIE	Q3	35 / 68	49.26
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	92 / 179	48.88
学科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q2	33 / 79	58.86

CiteScore（2026年6月最新版）

CiteScore

SJR

SNIP

CiteScore 排名

CiteScore：4.8

SJR：0.575

SNIP：1.14

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Engineering 小类：Industrial and Manufacturing Engineering	Q2	138 / 425	67%
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q2	340 / 1030	67%
大类：Engineering 小类：Condensed Matter Physics	Q2	168 / 446	62%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	132 / 318	58%

期刊发文

Reinforcement Learning-Optimized Adaptive LESO for Disturbance Rejection in Magnetically Suspended Turbo Molecular Pump
Author: Zheng, Shiqiang; Hao, Mohan; Mao, Kun; Ma, Wenyue; Han, Xue; Yang, Quanyao

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING. 2026; Vol. 39, Issue 1, pp. 129-138. DOI: 10.1109/TSM.2025.3638245
Modeling and Scheduling of Dual-Arm Cluster Tools With Multifunctional Process Module
Author: Wu, Guanzhong; Xiong, Wenqing; Pan, Chunrong

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING. 2026; Vol. 39, Issue 1, pp. 91-104. DOI: 10.1109/TSM.2025.3621092
Multi-Scale Content-Aware Enhancement Dual-Branch CNN for LED-Chip Defect Classificatio
Author: Wei, Linyu; Cai, Jueping

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING. 2026; Vol. 39, Issue 1, pp. 62-73. DOI: 10.1109/TSM.2025.3642343
Data-Driven Coordinated Control of Czochralski Silicon Single Crystal Growth Operation Process Based on Indirect Control Strateg
Author: Ren, Jun-Chao; Liu, Ding; Wan, Yin

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING. 2026; Vol. 39, Issue 1, pp. 36-45. DOI: 10.1109/TSM.2025.3620675
A Condition Monitoring Method via a New Signal Expansion Strategy for the Crystal Lifting and Rotating Mechanis
Author: Mu, Lingxia; Liu, Ding; Wu, Shihai; Liu, Yuyu; Gao, Peiyuan; Liu, Han; Zhang, Youmin

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING. 2026; Vol. 39, Issue 1, pp. 115-128. DOI: 10.1109/TSM.2025.3619539
Simulation and Experimental Analysis of Contactless Chip Pickup Process Based on a Vortex Flow Grippe
Author: Zhai, Peiran; Xu, Zhoulong; Yin, Zhouping; Li, Xiaohang; Xie, Bin; Wu, Hao

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING. 2025; Vol. 38, Issue 2, pp. 324-331. DOI: 10.1109/TSM.2025.3553559
Fast and Accurate EUVL Thick-Mask Model Based on Multi-Channel Attention Networ
Author: Yu, Chengzhen; Liu, Sheng; Chen, Wensheng; Ma, Xu

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING. 2025; Vol. 38, Issue 2, pp. 194-202. DOI: 10.1109/TSM.2025.3539300
Fabrication of Porous Cu-Sn Microbumps for Low-Temperature Cu-Cu Bondin
Author: Wang, Zilin; Shi, Yunfan; Zhang, Qingchao; Zhou, Yikang; Wang, Qian; Wang, Zheyao

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING. 2025; Vol. 38, Issue 2, pp. 343-351. DOI: 10.1109/TSM.2025.3529683

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