Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing

Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing

半导体制造的IEEE交易

  • 3区 中科院分区
  • Q2 JCR分区

期刊简介

《Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing》是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社于1988年创办的英文国际期刊(ISSN: 0894-6507,E-ISSN: 1558-2345),该期刊长期致力于物理:应用领域的创新研究,主要研究方向为工程技术-工程:电子与电气。作为SCIE收录期刊(JCR分区 Q2,中科院 3区),本刊采用OA未开放获取模式(OA占比0%),以发表物理:应用领域等方向的原创性研究为核心(研究类文章占比97.30%%)。凭借严格的同行评审与高效编辑流程,期刊年载文量精选控制在74篇,确保学术质量与前沿性。成果覆盖Web of Science、Scopus等国际权威数据库,为学者提供推动工程技术领域高水平交流平台。

投稿咨询

投稿提示

Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing审稿周期约为 约6.0个月 。该刊近年未被列入国际预警名单,年发文量约74篇,录用竞争适中,主题需确保紧密契合工程技术前沿。投稿策略提示:避开学术会议旺季投稿以缩短周期,语言建议专业润色提升可读性。

  • 工程技术 大类学科
  • English 出版语言
  • 是否预警
  • SCIE 期刊收录
  • 74 发文量

中科院分区

中科院 SCI 期刊分区 2023年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术
3区
PHYSICS, APPLIED 物理:应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程:制造
3区 3区 4区 4区

中科院 SCI 期刊分区 2022年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术
4区
PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程:制造 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
3区 4区 4区 4区

JCR分区

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 175 / 352

50.4%

学科:ENGINEERING, MANUFACTURING SCIE Q3 41 / 68

40.4%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 100 / 179

44.4%

学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 45 / 79

43.7%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 183 / 354

48.45%

学科:ENGINEERING, MANUFACTURING SCIE Q3 35 / 68

49.26%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 92 / 179

48.88%

学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q2 33 / 79

58.86%

CiteScore

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
CiteScore:5.2 SJR:0.967 SNIP:1.237
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Industrial and Manufacturing Engineering Q2 114 / 384

70%

大类:Engineering 小类:Condensed Matter Physics Q2 131 / 434

69%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 89 / 284

68%

大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 250 / 797

68%

期刊发文

  • Improvement of Rough Interface Between Barrier/Seed Layer and Porous Ultralow k Film for 28nm Technological Node and Beyond

    Author: jdzhm

    Journal: IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, 2016.