Progress In Crystal Growth And Characterization Of Materials

Progress In Crystal Growth And Characterization Of Materials

晶体生长和材料表征的进展

  • 4区 中科院分区
  • Q1 JCR分区

期刊简介

《Progress In Crystal Growth And Characterization Of Materials》是由Elsevier Ltd出版社于1978年创办的英文国际期刊(ISSN: 0960-8974,E-ISSN: 1878-4208),该期刊长期致力于晶体学领域的创新研究,主要研究方向为工程技术-材料科学:表征与测试。作为SCI、SCIE收录期刊(JCR分区 Q1,中科院 4区),本刊采用OA未开放获取模式(OA占比%),以发表晶体学领域等方向的原创性研究为核心(研究类文章占比0.00%%)。凭借严格的同行评审与高效编辑流程,期刊年载文量精选控制在8篇,确保学术质量与前沿性。成果覆盖Web of ScienceWeb of Science、Scopus等国际权威数据库,为学者提供推动材料科学领域高水平交流平台。

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投稿提示

Progress In Crystal Growth And Characterization Of Materials审稿周期约为>12周,或约稿。该刊近年未被列入国际预警名单,年发文量约8篇,录用竞争适中,主题需确保紧密契合材料科学前沿。投稿策略提示:避开学术会议旺季投稿以缩短周期,语言建议专业润色提升可读性。

  • 材料科学 大类学科
  • English 出版语言
  • 是否预警
  • SCI、SCIE 期刊收录
  • 8 发文量

中科院分区

《新锐期刊分区表》(2026年3月发布)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
材料科学
4区
CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING 材料科学:表征与测试
3区 3区

期刊分区表(2025年3月升级版)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
材料科学
2区
CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING 材料科学:表征与测试
1区 1区

期刊分区表(2023年12月升级版)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
材料科学
2区
CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING 材料科学:表征与测试
1区 1区

期刊分区表(2022年12月升级版)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
材料科学
2区
CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING 材料科学:表征与测试
1区 2区

期刊分区表(2021年12月升级版)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
材料科学
1区
CRYSTALLOGRAPHY 晶体学 MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING 材料科学:表征与测试
1区 1区

JCR分区

2025-2026年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q1 2 / 31

95.2

学科:MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING SCIE Q1 5 / 37

87.8

学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q3 16 / 31

50

学科:MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING SCIE Q2 16 / 37

58.11

2024-2025年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q3 16 / 31

50

学科:MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING SCIE Q2 18 / 37

52.7

学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q2 15 / 31

53.23

学科:MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING SCIE Q2 15 / 38

61.84

2023-2024年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q1 4 / 33

89.4

学科:MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING SCIE Q1 3 / 38

93.4

学科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q2 13 / 33

62.12

学科:MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING SCIE Q2 13 / 38

67.11

CiteScore(2026年6月最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
CiteScore:5.7 SJR:0.712 SNIP:1.418
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Physics and Astronomy 小类:Condensed Matter Physics Q2 126 / 446

71%

大类:Physics and Astronomy 小类:General Materials Science Q2 169 / 475

64%

期刊发文

  • Toward low-resistivity p-type SiC single crystals: Controlling doping and defect

    Author: Wang, Jiangfeng; Xie, Xuejian; Zhong, Guanglei; Chen, Xiufang; Yang, Xianglong; Sun, Li; Wang, Rongkun; Hu, Xiaobo; Xu, Xiangang

    Journal: PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS. 2026; Vol. 72, Issue 2, pp. -. DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2026.100708

  • Morphology features of β-Ga 2 O 3 bulk crystals by EFG and CZ methods: A revie

    Author: Xu, Mujie; Wang, Zining; Wang, Rui; Yu, Zhihong; Sun, Zhenhao; Fu, Bo; Shi, Yujun

    Journal: PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS. 2025; Vol. 71, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2024.100658