Semiconductors

Semiconductors

半导体

  • 4区 中科院分区
  • Q4 JCR分区

期刊简介

《Semiconductors》是由Pleiades Publishing出版社于1997年创办的英文国际期刊(ISSN: 1063-7826,E-ISSN: 1090-6479),该期刊长期致力于物理:凝聚态物理领域的创新研究,主要研究方向为物理-物理:凝聚态物理。作为SCIE收录期刊(JCR分区 Q4,中科院 4区),本刊采用OA未开放获取模式(OA占比0%),以发表物理:凝聚态物理领域等方向的原创性研究为核心(研究类文章占比100.00%%)。凭借严格的同行评审与高效编辑流程,期刊年载文量精选控制在90篇,确保学术质量与前沿性。成果覆盖Web of Science、Scopus等国际权威数据库,为学者提供推动物理与天体物理领域高水平交流平台。

投稿咨询

投稿提示

Semiconductors审稿周期约为 一般,3-6周 。该刊近年未被列入国际预警名单,年发文量约90篇,录用竞争适中,主题需确保紧密契合物理与天体物理前沿。投稿策略提示:避开学术会议旺季投稿以缩短周期,语言建议专业润色提升可读性。

  • 物理与天体物理 大类学科
  • English 出版语言
  • 是否预警
  • SCIE 期刊收录
  • 90 发文量

中科院分区

中科院 SCI 期刊分区 2023年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
物理与天体物理
4区
PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理
4区

中科院 SCI 期刊分区 2022年12月升级版

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
物理与天体物理
4区
PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理
4区

JCR分区

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 74 / 79

7%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 74 / 79

6.96%

CiteScore

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
CiteScore:1.5 SJR:0.173 SNIP:0.314
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Materials Science 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q4 222 / 284

22%

大类:Materials Science 小类:Condensed Matter Physics Q4 340 / 434

21%

大类:Materials Science 小类:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q4 176 / 224

21%

期刊发文

  • Aligned arrays of zinc oxide nanorods on silicon substrates

    Author: A. N. Redkin, M. V. Ryzhova, E. E. Yakimov, A. N. Gruzintsev

    Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 252-258, DOI:10.1134/s1063782613020176

  • Procedure for calculating the field-emission current from a single carbon nanotube

    Author: S. V. Bulyarskii, A. V. Lakalin, A. S. Basaev

    Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 1692-1696, DOI:10.1134/s1063782613130058

  • Study of heterostructures with a combined In(Ga)As/GaAs quantum dot/quantum well layer and a Mn δ layer

    Author: E. D. Pavlova, A. P. Gorshkov, A. I. Bobrov, N. V. Malekhonova, B. N. Zvonkov

    Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 1591-1594, DOI:10.1134/s1063782613120166

  • Charge transport mechanisms in Schottky diodes based on low-resistance CdTe:Mn

    Author: L. A. Kosyachenko, N. S. Yurtsenyuk, I. M. Rarenko, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk, Z. I. Zakharuk, E. V. Grushko

    Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 916-924, DOI:10.1134/s1063782613070129

  • Characterization of defects in colloidal CdSe nanocrystals by the modified thermostimulated luminescence technique

    Author: A. V. Katsaba, V. V. Fedyanin, S. A. Ambrozevich, A. G. Vitukhnovsky, A. N. Lobanov, A. S. Selyukov, R. B. Vasiliev, I. G. Samatov, P. N. Brunkov

    Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 1328-1332, DOI:10.1134/s1063782613100138

  • Growth model of silicon nanoislands on sapphire

    Author: N. O. Krivulin, D. A. Pavlov, P. A. Shilyaev

    Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 1595-1597, DOI:10.1134/s1063782613120117

  • Picosecond internal Q-switching mode correlates with laser diode breakdown voltage

    Author: B. Lanz, S. N. Vainshtein, V. M. Lantratov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, J. T. Kostamovaara

    Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 406-408, DOI:10.1134/s1063782613030159

  • Photoconductivity of composite structures based on porous SnO2 sensitized with CdSe nanocrystals

    Author: K. A. Drozdov, V. I. Kochnev, A. A. Dobrovolsky, R. B. Vasiliev, A. V. Babynina, M. N. Rumyantseva, A. M. Gaskov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov

    Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 383-386, DOI:10.1134/s106378261303007x