Solid-state Electronics

Solid-state Electronics

固态电子

  • 4区 中科院分区
  • Q4 JCR分区

期刊简介

《Solid-state Electronics》是由Elsevier Ltd出版社于1960年创办的英文国际期刊(ISSN: 0038-1101,E-ISSN: 1879-2405),该期刊长期致力于工程:电子与电气领域的创新研究,主要研究方向为物理-工程:电子与电气。作为SCI、SCIE收录期刊(JCR分区 Q4,中科院 4区),本刊采用OA未开放获取模式(OA占比%),以发表工程:电子与电气领域等方向的原创性研究为核心(研究类文章占比99.49%%)。凭借严格的同行评审与高效编辑流程,期刊年载文量精选控制在198篇,确保学术质量与前沿性。成果覆盖Web of ScienceWeb of Science、Scopus等国际权威数据库,为学者提供推动物理与天体物理领域高水平交流平台。

投稿咨询

投稿提示

Solid-state Electronics审稿周期约为一般,3-6周。该刊近年未被列入国际预警名单,年发文量约198篇,录用竞争适中,主题需确保紧密契合物理与天体物理前沿。投稿策略提示:避开学术会议旺季投稿以缩短周期,语言建议专业润色提升可读性。

  • 物理与天体物理 大类学科
  • English 出版语言
  • 是否预警
  • SCI、SCIE 期刊收录
  • 198 发文量

中科院分区

《新锐期刊分区表》(2026年3月发布)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
物理与天体物理
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理
4区 4区 4区

期刊分区表(2025年3月升级版)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
物理与天体物理
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理
4区 4区 4区

期刊分区表(2023年12月升级版)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
物理与天体物理
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理
4区 4区 4区

期刊分区表(2022年12月升级版)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
物理与天体物理
3区
PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
3区 4区 4区

期刊分区表(2021年12月升级版)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
物理与天体物理
3区
PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚态物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
3区 4区 4区

JCR分区

2025-2026年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 294 / 369

20.5

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 155 / 191

19.1

学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 64 / 81

21.6

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 299 / 371

19.54

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 154 / 191

19.63

学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 60 / 81

26.54

2024-2025年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 277 / 368

24.9

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 146 / 187

22.2

学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 63 / 80

21.9

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 285 / 368

22.69

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 149 / 187

20.59

学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 58 / 80

28.13

2023-2024年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 259 / 352

26.6

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 138 / 179

23.2

学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 61 / 79

23.4

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 261 / 354

26.41

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 133 / 179

25.98

学科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 54 / 79

32.28

CiteScore(2026年6月最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
CiteScore:3.1 SJR:0.335 SNIP:0.685
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 474 / 1030

54%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 183 / 318

42%

大类:Engineering 小类:Condensed Matter Physics Q3 267 / 446

40%

大类:Engineering 小类:Materials Chemistry Q3 204 / 327

37%

期刊发文

  • A method for series resistance extraction in advanced MOSFET

    Author: Yan, Yu; Dou, Cunhua; Zhang, Xuan; Song, Weijia; Tang, Zhiyu; Li, Binhong; Wan, Jing; Sun, Huabin; Zhao, Xing; Wang, Yun; Xu, Yong; Cristoloveanu, Sorin

    Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2026; Vol. 235, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2026.109360

  • Investigation on pulse repetition frequency characteristics of 4H-Silicon carbide drift step recovery diod

    Author: Liu, Tong; Liang, Lin; Wen, Kaijun

    Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2026; Vol. 234, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2026.109354

  • Investigation of cap layer effects on low-contact-resistance vanadium-based Au-free low-temperature ohmic contacts for AlGaN/GaN HEM

    Author: Xie, Zijing; Ma, Xiao; Li, Xinghuan; Tang, Jun; Wang, Hong

    Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2026; Vol. 234, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2026.109351

  • Bonding of micro LEDs using wet reflow process of indium bumps based on SU-8 solder mas

    Author: Bai, Shuangjia; Lang, Taifu; Lin, Xin; Wang, Shuaishuai; Wang, Zhihua; Lin, Chang; Yan, Qun; Sun, Jie

    Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2026; Vol. 234, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2026.109333

  • Investigation of performance enhancement in high-efficiency organic light-emitting device based on a bipolar hos

    Author: Wu, Lishuang; Xu, Huiwen; Zhang, Jinghong; Wang, Chandong; Wu, Zhijun; Yang, Huishan

    Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2025; Vol. 229, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2025.109160

  • Influence of N-type substrate's bias potential on electrical characteristics of 4H-SiC integrated devices for All-SiC IC

    Author: Li, Yongjia; Zheng, Guiqiang; Ma, Jie; Gu, Yong; Wei, Jiaxing; Li, Sheng; Zhang, Long; Liu, Siyang; Sun, Weifeng

    Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2025; Vol. 229, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2025.109155

  • Characteristics evaluation of reverse blocking diode thyristor for DC circuit breake

    Author: Qing, Zhengheng; Liang, Lin; Xu, Mosai

    Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2025; Vol. 229, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2025.109163

  • Model of threshold voltage and drain current in core-shell junctionless transistor on FD-SO

    Author: Dou, Cunhua; Song, Weijia; Yan, Yu; Zhang, Xuan; Tang, Zhiyu; Li, Binhong; Xu, Yong; Cristoloveanu, Sorin

    Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2025; Vol. 229, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2025.109173