Ieee Transactions On Electron Devices投稿须知

期刊简介

《Ieee Transactions On Electron Devices》是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社于1954年创办的英文国际期刊（ISSN: 0018-9383，E-ISSN: 1557-9646），该期刊长期致力于工程：电子与电气领域的创新研究，主要研究方向为工程技术-工程：电子与电气。作为SCI、SCIE收录期刊（JCR分区 Q2，中科院 3区），本刊采用OA未开放获取模式（OA占比%），以发表工程：电子与电气领域等方向的原创性研究为核心（研究类文章占比99.61%%）。凭借严格的同行评审与高效编辑流程，期刊年载文量精选控制在1015篇，确保学术质量与前沿性。成果覆盖Web of ScienceWeb of Science、Scopus等国际权威数据库，为学者提供推动工程技术领域高水平交流平台。

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投稿提示

Ieee Transactions On Electron Devices审稿周期约为约4.7个月。该刊近年未被列入国际预警名单，年发文量约1015篇，录用竞争适中，主题需确保紧密契合工程技术前沿。投稿策略提示：避开学术会议旺季投稿以缩短周期，语言建议专业润色提升可读性。

工程技术 大类学科
English 出版语言
否是否预警
SCI、SCIE 期刊收录
1015 发文量

中科院分区

《新锐期刊分区表》（2026年3月发布）

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	工程技术 3区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 3区

期刊分区表（2025年3月升级版）

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	工程技术 3区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 3区

期刊分区表（2023年12月升级版）

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	工程技术 2区	PHYSICS, APPLIED 物理：应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 3区

期刊分区表（2022年12月升级版）

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	工程技术 2区	PHYSICS, APPLIED 物理：应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 3区

期刊分区表（2021年12月升级版）

Top期刊	综述期刊	大类学科	小类学科
否	否	工程技术 2区	PHYSICS, APPLIED 物理：应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 3区

JCR分区

2025-2026年最新版

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	142 / 369	61.7
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	72 / 191	62.6
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	150 / 371	59.7
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	64 / 191	66.75

2024-2025年最新版

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	143 / 368	61.3
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	71 / 187	62.3
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	149 / 368	59.65
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	65 / 187	65.51

2023-2024年最新版

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	143 / 352	59.5
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	68 / 179	62.3
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	145 / 354	59.18
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	61 / 179	66.2

CiteScore（2026年6月最新版）

CiteScore

SJR

SNIP

CiteScore 排名

CiteScore：6.5

SJR：0.809

SNIP：1.398

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q1	235 / 1030	77%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	82 / 318	74%

期刊发文

A Lightweight Design of True Random Number Generator Based on Superparamagnetic Tunnel Junctio
Author: Wang, You; Zhang, Chaoyue; Xu, Yefan; Gong, Yu; Peng, Shouzhong; Zhang, Yue; Cui, Yijun; Liu, Weiqiang

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2026; Vol. 73, Issue 5, pp. 3058-3066. DOI: 10.1109/TED.2026.3675612
Mechanistic Study of FS Layer in IGBT: Exploring the Effects of Hydrogen and Phosphorus Implantation on Performanc
Author: Sun, Yameng; Chen, Anning; Liu, Xun; Song, Yifan; Zhou, Yang; Ma, Kun; Liu, Sheng

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2026; Vol. 73, Issue 5, pp. 2663-2672. DOI: 10.1109/TED.2026.3674820
Evaluation and Analysis of the RF Stress on the Current Collapse Effect in Si-Based RF GaN HEMT
Author: Sun, Shaoyu; Yin, Zhizhen; Song, Shengxing; Ru, Zhanqiang; Song, Helun

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2026; Vol. 73, Issue 5, pp. 2557-2565. DOI: 10.1109/TED.2026.3675630
Demonstration of 8-kV SiC Gate Turn-Off Thyristors With High di/dt for Nanosecond Pulse Fast-Switching Application
Author: Li, Lingfeng; Li, Juntao; Li, Lianghui; Liao, Zhengxiang; Xu, Xingliang; Zhang, Lin; Meng, Yinghao; He, Yingjiang; Li, Zhiqiang

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2026; Vol. 73, Issue 5, pp. 2673-2679. DOI: 10.1109/TED.2026.3674876
Analytical Model of Charge Transfer in Vertical Pinned Photodiode With Planar Transfer Gate for CMOS Image Sensor
Author: Li, Jingmin; Chen, Quanmin; Xu, Jiangtao

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2026; Vol. 73, Issue 5, pp. 2600-2608. DOI: 10.1109/TED.2026.3674890
A Vertical Top-Gate Multichannel Vacuum Triode With Low Subthreshold Swin
Author: Tang, Wenhua; Li, Zhihao; Chen, Kerun; Xia, Zhangcong; Li, Jie; Shen, Zhihua; Liu, Yiwei; Wang, Xiao; Niu, Gang; Wu, Shengli

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2026; Vol. 73, Issue 5, pp. 3023-3028. DOI: 10.1109/TED.2026.3674880
Dual-Gate Architecture-Boosted 800-ppi IGZO ISTFT Array With Super-Nernstian Sensitivity for On-Chip Ion Imaging and Parallel DNA Detectio
Author: Mei, Zikang; Tang, Wei; Li, Jun; Zhou, Kaiyutai; Chen, Ziwen; Peng, Xiao; Jiang, Wei; Guo, Xiaojun

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2026; Vol. 73, Issue 5, pp. 3149-3156. DOI: 10.1109/TED.2026.3676451
Low-Voltage Solution-Processed Li-Doped CuI Thin-Film Transistors for Neuromorphic Computin
Author: Liu, Junting; Dou, Wei; Liu, Sunwen; Xiang, Rui; Xu, Xiaodong; Chen, Pengfei; Peng, Yuling; Tang, Dongsheng

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2026; Vol. 73, Issue 5, pp. 2846-2851. DOI: 10.1109/TED.2026.3676042

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