Microelectronics Reliability

Microelectronics Reliability

微电子可靠性

  • 4区 中科院分区
  • Q3 JCR分区

期刊简介

《Microelectronics Reliability》是由Elsevier Ltd出版社于1964年创办的英文国际期刊(ISSN: 0026-2714,E-ISSN: 1872-941X),该期刊长期致力于工程:电子与电气领域的创新研究,主要研究方向为工程技术-工程:电子与电气。作为SCI、SCIE收录期刊(JCR分区 Q3,中科院 4区),本刊采用OA未开放获取模式(OA占比%),以发表工程:电子与电气领域等方向的原创性研究为核心(研究类文章占比97.69%%)。凭借严格的同行评审与高效编辑流程,期刊年载文量精选控制在303篇,确保学术质量与前沿性。成果覆盖Web of ScienceWeb of Science、Scopus等国际权威数据库,为学者提供推动工程技术领域高水平交流平台。

投稿咨询

投稿提示

Microelectronics Reliability审稿周期约为较快,2-4周。该刊近年未被列入国际预警名单,年发文量约303篇,录用竞争适中,主题需确保紧密契合工程技术前沿。投稿策略提示:避开学术会议旺季投稿以缩短周期,语言建议专业润色提升可读性。

  • 工程技术 大类学科
  • English 出版语言
  • 是否预警
  • SCI、SCIE 期刊收录
  • 303 发文量

中科院分区

《新锐期刊分区表》(2026年3月发布)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区

期刊分区表(2025年3月升级版)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术
3区
PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技
3区 4区 4区

期刊分区表(2023年12月升级版)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区

期刊分区表(2022年12月升级版)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区

期刊分区表(2021年12月升级版)

Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区

JCR分区

2025-2026年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 204 / 369

44.9

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 109 / 148

26.7

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 114 / 191

40.6

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 266 / 371

28.44

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 111 / 148

25.34

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 140 / 191

26.96

2024-2025年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 227 / 368

38.5

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 120 / 147

18.7

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 134 / 187

28.6

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 274 / 368

25.68

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 116 / 147

21.43

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 140 / 187

25.4

2023-2024年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 239 / 352

32.2

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 113 / 140

19.6

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 131 / 179

27.1

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 272 / 354

23.31

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 114 / 140

18.93

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 140 / 179

22.07

CiteScore(2026年6月最新版)

CiteScore SJR SNIP CiteScore 排名
CiteScore:4.5 SJR:0.464 SNIP:1.024
学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 86 / 282

69%

大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 359 / 1030

65%

大类:Engineering 小类:Condensed Matter Physics Q2 185 / 446

58%

大类:Engineering 小类:Surfaces, Coatings and Films Q2 59 / 141

58%

大类:Engineering 小类:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q2 102 / 243

58%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 142 / 318

55%

期刊发文

  • Research on packaging damage and final failure of large-scale plastic-encapsulated power module under thermal stres

    Author: Zhu, Zhanshan; Zhang, Yuexin; Cao, Yang; Cui, Dingyuan; Xiao, Jianxiang; Xu, Min

    Journal: MICROELECTRONICS RELIABILITY. 2026; Vol. 181, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.microrel.2026.116112

  • An analytical-numerical thermal modeling method for multilayer PCBs including lateral surface heat transfe

    Author: Zhang, Yabin; Chen, Lin; Luo, Shenyuan

    Journal: MICROELECTRONICS RELIABILITY. 2026; Vol. 181, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.microrel.2026.116120

  • Thermal reliability of 2D materials integrated with silicon-based CMOS ICs and analysis under complex condition

    Author: Huang, Jinfeng; Ye, Yuxin; Malik, Muhammad; Anwar, Muhammad Abid; Liu, Guanyu; Zhao, Yuda; Ma, Hanzhi; Yu, Bin; Xu, Yang

    Journal: MICROELECTRONICS RELIABILITY. 2026; Vol. 181, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.microrel.2026.116123

  • Research on evaluation methods of total ionizing radiation on SiC MOSFETs with various dose rates and temperature

    Author: Zhang, Dan; Shi, Chengcheng; Liang, Xiaowen; Wei, Ying; Wen, Lin; Song, Yu; Feng, Jie; Yu, Xuefeng; Zhou, Dong; Guo, Qi; Wang, Bo; Li, Yudong

    Journal: MICROELECTRONICS RELIABILITY. 2026; Vol. 181, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.microrel.2026.116126

  • Influence of bonding wire on insulation characteristics of chip termination in high-voltage power electronic device

    Author: Qi, Zhaoyuan; Li, Xuebao; Liu, Zhaocheng; Cai, Yumeng; Zheng, Chao; Zhao, Yushan; Sun, Peng; Zhao, Zhibin

    Journal: MICROELECTRONICS RELIABILITY. 2026; Vol. 181, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.microrel.2026.116080

  • Microstructural evolution and mechanical performance of transient liquid phase bonded Ni/Cu foam (Sn-infiltrated)/Ni joint

    Author: Pan, Zhen; Wang, Zhihui; Deng, Chaohan; Lian, Xiangyu; Chi, Hongmei

    Journal: MICROELECTRONICS RELIABILITY. 2026; Vol. 181, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.microrel.2026.116122

  • Method for geometric correction of indentation hardness on curved surfaces: Implications for solder joint structure

    Author: Xu, Yukun; Song, Shaowei; Li, Xiaozhen; Liu, Haodong; Zhang, Weixu

    Journal: MICROELECTRONICS RELIABILITY. 2026; Vol. 181, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.microrel.2026.116127

  • Design of high failure current embedded dual direction SCR with segmented topology for high-voltage ESD protectio

    Author: Xiao, Tao; Yang, Hongjiao; Wang, Yang; Tang, Zhengdong; Wang, Yitao; Chen, Yujie

    Journal: MICROELECTRONICS RELIABILITY. 2026; Vol. 181, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.microrel.2026.116117